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IMEC:摩尔定律不会终结,已制定 1nm 以下至 A2 工艺路径

   时间:2022-05-25 15:04:27 来源:爱集微作者:思坦评论:0无障碍通道

  比利时研究实验室 IMEC 已经制定了 1nm 以下至 2 埃米(A2)的半导体工艺技术和芯片设计的路径。

  据 eeNews 报道,IMEC 首席执行官 Luc van den Hove 在未来大会(Futures conference)上表示:“我们相信摩尔定律不会终结,但需要很多方面共同做出贡献。”

  他提到了几代器件架构,从 FinFET 器件到插板和原子通道器件,以及新材料和 ASML 的 High-NA 光刻机的引入,这需要很多年的时间。目前正在安装的 NA 原型设备将在 2024 年投入商用。“我们相信,光刻工具将把摩尔定律扩展到相当于 1nm 的一代以下。”

  但其也表示,为了迈向更先进制程,需要开发新的器件架构,以及推动标准单元的缩小。在 FinFET 已经成为从 10nm 到 3nm 的主流技术的基础上,“从 2nm 开始,由纳米薄片堆叠而成的 GAA 架构将是最有可能的概念。”

  他提到了 IMEC 开发的 forksheet 架构。“这使得我们可以用屏障材料将 N 和 P 通道更紧密地连接在一起,这将是一种将栅极扩展到超过 1nm 的选择。接下来,你可以把 N 和 P 通道放在一起,以进一步扩大规模,我们相信我们已经开发了这些架构的第一个版本。”

  使用钨或钼的新材料,可以为 2028 年的 1nm(A10)工艺和 2034 年的 4 埃米(A4)和 2036 年的 2 埃米(A2)结构制造出相当于几个原子长度的栅极。

  与此同时,互联性能也需要改善。“一个有趣的选择是将电力输送移到晶圆的背面。这为前端的互连留下了更多的设计灵活性。所有这些都会导致未来 15 到 20 年的规模扩大。”

  未来的系统芯片设备将使用 TSV 和微凸点技术进行芯片的 3D 堆叠集成,并使用不同制程芯片完成不同的任务,使得多个 3D 芯片需要连接在一个硅中介层上。

  “我们一直在开发所有这些技术,就在我们说话的时候,这些技术正在逐渐被工业界采用。”


 
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